采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器

摘要

本实用新型涉及一种采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于：半导体二极管作为激光泵浦源，半导体二极管输出波长为808nm，半导体二极管后面的输出端依次布置非球面透镜A和非球面透镜B，非球面透镜B后面的输出端布置平面镜A，平面镜A后面的输出端衔接两部分结构，一个衔接Q开关，另一个衔接激光晶体；其在激光谐振腔内插入全波片，利用纵模选择的方法，抑制除中心频率外尽可能多的纵模，同时通过调节腔长、控制频率等手段，使激光器的纵模数量、振幅、频率保持相对稳定，从而获得355nm紫外激光器的低噪声运转。

主权项

采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于：半导体二极管作为激光泵浦源，半导体二极管输出波长为808nm，半导体二极管后面的输出端依次布置非球面透镜A 和非球面透镜B ，非球面透镜B 后面的输出端布置平面镜A ，平面镜A 后面的输出端衔接两部分结构，一个衔接Q开关，另一个衔接激光晶体；Q开关后面的输出端布置平面镜B ，激光晶体后面依次衔接全波片和平面镜C ，平面镜C 衔接三倍频非线性光学晶体，三倍频非线性光学晶体再依次衔接二倍频非线性光学晶体和平面镜D 。