一种超材料介质基板及其加工方法

摘要

本发明提供了一种超材料介质基板及其加工方法，包括以下步骤，111.将纳米碳化硅粉末、溶剂、表面活性剂混合后研磨成细小颗粒，用超声波洗涤、干燥；112.利用热等静压工艺将细小颗粒烧结成纳米碳化硅陶瓷层；12.将上述纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末、石墨烯层利用热等静压工艺制成超材料的介质基板。应用本发明的加工方法，可以大大提高超材料介质基板的热导率，增强介质基板的硬度，减小介质基板的热膨胀系数。制成的介质基板导热性能良好，硬度较强，耐热性较好。另外，在制备纳米碳化硅陶瓷的过程中掺入硼作为添加剂，明显降低了纳米碳化硅陶瓷的整体烧结温度。

主权项

一种超材料介质基板的加工方法，其特征在于，包括以下步骤，11.制备纳米碳化硅陶瓷层,包括：111.将纳米碳化硅粉末、溶剂、表面活性剂混合后研磨成细小颗粒，用超声波洗涤、干燥,所述纳米碳化硅粉末中硼的质量比为0.1％‑10％，所述纳米碳化硅粉末的纯度≥99％；112.利用热等静压工艺将细小颗粒烧结成纳米碳化硅陶瓷层，所述热等静压工艺烧结压力控制在800‑1000MPa，烧结温度控制在1500‑1800℃，烧结时间控制在5‑15min；12.将上述纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末、石墨烯层利用热等静压工艺制成超材料的介质基板，所述热等静压温度应控制在1800‑2000℃，热等静压时间应控制在5‑15min。