主动元件结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种主动元件结构及制作方法，其中主动元件结构包括栅极、氧化物通道层、源极、漏极、与高能量绝缘层。氧化物通道层与栅极上下叠置，其中氧化物通道包括一上层与一下层，且上层的晶格结构与下层的晶格结构不同。源极及漏极都与氧化物通道层接触，其中源极与漏极以氧化物通道层相隔一间距并定义出一通道区。高能量与绝缘层氧化物通道层的上层接触。氧化物通道层的上层结构可以提供挡光效果，进而改善氧化物通道层照光而产生的临界电压偏移问题。

主权项

一种主动元件结构，包括：栅极；氧化物通道层，与该栅极上下叠置，其中该氧化物通道层包括一上层与一下层，且该上层的晶格结构与该下层的晶格结构不同；源极，接触该氧化物通道层；漏极，接触该氧化物通道层，其中该源极与该漏极相隔一间距以在该氧化物通道层定义出一通道区；以及高能量绝缘层，接触该氧化物通道层的该上层。