宽带低噪声放大器

摘要

本发明公开一种宽带低噪声放大器，其采用共源共栅结构，包括共源结构MOS管M1、共栅结构MOS管M2、输入匹配电容C1、接地电容C2、输出匹配电容C3、第一电感L1、第二电感L2、第一电阻R1、第二电阻R2以及第三电阻R3。其中输入匹配电容、第一电感和共源级MOS晶体管的栅极与源极之间的寄生电阻一起构成放大器的输入匹配结构。本发明通过利用共源级MOS晶体管的漏极与源极之间的寄生电阻和在输入端口与地之间增加的输入匹配电容，能有效改善电路的输入匹配特性。本发明的宽带低噪声放大器结构简单，功耗低，集成度高，适用于低功耗宽频带应用。

主权项

一种宽带低噪声放大器，其特征在于：由共源结构MOS管M1、共栅结构MOS管M2、输入匹配电容C1、接地电容C2、输出匹配电容C3、第一电感L1、第二电感L2、第一电阻R1、第二电阻R2以及第三电阻R3组成；共源结构MOS管M1的漏极与共栅结构MOS管M2的漏极相连；共源结构MOS管M1的栅极与第一电阻R1和第一电感L1的一端连接；第一电感L1的另一端与射频信号输入端口Vin和输入匹配电容C1的一端连接；输入匹配电容C1的另一端连接到地；第一电阻R1的另一端连接第一偏置电压Vb1；共栅结构MOS管M2的栅极同时与第二电阻R2和接地电容C2的一端相连；接地电容C2的另一端接地；第二电阻R2的另一端连接第二偏置电压Vb2；共源结构MOS管M1的源极接地；共栅结构MOS管M2的漏极与输出匹配电容C3和第二电感L2的一端相连；第二电感L2的另一端与第三电阻R3一端相连；第三电阻R3的另一端与外部电源连接；输出匹配电容C3的另一端连接到信号输出端口Vout。