发明名称 基板处理装置,半导体装置之制造方法及程式
摘要 本发明系即便利用排气缓冲室施行气体排气的情况,仍可对该排气缓冲室内充分且良好地施行清洗处理。;本发明的基板处理装置系具备有:处理空间、气体供应系统、排气缓冲室、气体排气系统、及清洗气体供应管。其中,该处理空间系对基板载置面上所载置基板施行处理。该气体供应系统系从基板载置面的对向侧朝处理空间内供应气体。该排气缓冲室系具有依包围处理空间之侧边外周方式设置的空间,且供应给处理空间内的气体会流入空间内的方式构成。该气体排气系统系将流入排气缓冲室内的气体予以排气。该清洗气体供应管系从连通于构成排气缓冲室的空间,并对排气缓冲室内供应清洗气体。
申请公布号 TW201537651 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW103131708 申请日期 2014.09.15
申请人 日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 鎌仓司 KAMAKURA, TSUKASA;龟田贤治 KAMEDA, KENJI
分类号 H01L21/67(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣宿希成
主权项
地址 日本 JP
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