发明名称 |
基板处理装置,半导体装置之制造方法及程式 |
摘要 |
本发明系即便利用排气缓冲室施行气体排气的情况,仍可对该排气缓冲室内充分且良好地施行清洗处理。;本发明的基板处理装置系具备有:处理空间、气体供应系统、排气缓冲室、气体排气系统、及清洗气体供应管。其中,该处理空间系对基板载置面上所载置基板施行处理。该气体供应系统系从基板载置面的对向侧朝处理空间内供应气体。该排气缓冲室系具有依包围处理空间之侧边外周方式设置的空间,且供应给处理空间内的气体会流入空间内的方式构成。该气体排气系统系将流入排气缓冲室内的气体予以排气。该清洗气体供应管系从连通于构成排气缓冲室的空间,并对排气缓冲室内供应清洗气体。 |
申请公布号 |
TW201537651 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
申请号 |
TW103131708 |
申请日期 |
2014.09.15 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. |
发明人 |
鎌仓司 KAMAKURA, TSUKASA;龟田贤治 KAMEDA, KENJI |
分类号 |
H01L21/67(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣宿希成 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |