发明名称 半导体发光元件及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI502774 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW099104086 申请日期 2010.02.10
申请人 同和电子科技股份有限公司 发明人 十川博行;中野雅之;山田秀高
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人 叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;郑婷文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;詹富闵 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种半导体发光元件,系在支承基板之上面侧依序具备包含中间电极部之中间层、第2导电型半导体层、活性层、第1导电型半导体层及上侧电极部,在该支承基板之下面侧具备下侧电极层,其特征在于:该中间层具有线状或岛状延伸之至少一个中间电极部;将该上侧电极部与该中间电极部投影至与该支承基板之上面平行之假想面上时,该上侧电极部与该中间电极部为彼此错开之位置关系,且使该上侧电极部与该中间电极部之至少一者之轮廓线以既定振幅延伸,以部分缩短该上侧电极部与和该上侧电极部对向之该中间电极部之间之轮廓线间距离。
地址 日本