| 发明名称 | 形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构。该方法首先提供其中有沟槽且上有接触区域的基底，该沟槽有一末端部分位于接触区域中，且该沟槽中填充有一导电层。接着形成罩幕层覆盖接触区域中的导电层，再以罩幕层为罩幕回蚀刻导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103377997B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201210447327.4 | 申请日期 | 2012.11.09 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 维伟克·戈帕兰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种形成埋入式导线的方法，其特征在于，包括：提供基底，该基底中有沟槽且上有接触区域，其中该沟槽有一末端部分位于该接触区域中，且该沟槽中填充有导电层；形成罩幕层覆盖该沟槽的该末端部分中的该导电层；以及以该罩幕层为罩幕回蚀刻该导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||