| 发明名称 | 具有连续沉积和蚀刻的电离PVD | ||
| 摘要 | 一种iPVD设备(20)通过在真空室(30)内循环执行沉积和蚀刻模式，将材料(10)沉积到半导体基片(21)上高形状比的亚微米结构(11)中。这些模式工作在不同的功率和压力参数下。例如大于50mTorr的压力用于从靶上溅射材料，而小于几mTorr的压力例如用于蚀刻。蚀刻时对基片的偏压功率要高一个数量级，蚀刻时产生几百伏偏压而沉积时仅有几十伏。交替执行的蚀刻模式去除基片上结构突出边缘的沉积材料，去除结构底部(15)一些沉积材料，将去除的沉积材料重新溅射到结构的侧壁(16)上。基片(21)在沉积和蚀刻过程中冷却，特别是蚀刻过程中冷却到明显低于0℃。RF能量耦合到室(30)内形成高密度等离子体，沉积期间耦合的RF功率明显高于蚀刻期间的。基片(21)在蚀刻过程比在沉积过程更靠近等离子体源。 | ||
| 申请公布号 | CN100355058C | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN02812085.X | 申请日期 | 2002.05.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 图鲁尔·雅萨尔;格林·雷诺兹;弗兰克·切里奥;布鲁斯·吉托曼;迈克尔·格拉佩豪斯;罗德尼·罗比森 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种iPVD工艺，包括：在一iPVD设备的室内将一基片密封，并且不打开室执行iPVD工艺，通过操作设备工作在沉积模式、接着工作在蚀刻模式下，在基片上具有直径0.15微米或更小直径以及纵横比为3或更大的半导体结构的表面上沉积一层导电材料，所述模式的改变是通过控制所述设备工作的功率，使该功率在沉积模式中与在蚀刻模式中不同，其特征在于蚀刻模式之后执行另一个沉积模式，并且两个沉积模式都沉积导电材料，还控制所述设备操作的压力参数，使压力在沉积模式与在蚀刻模式不同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||