一种控制STI CMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法

摘要

浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、控制困难的问题，其中较为突出的是在CMP工艺中的氧化硅过磨削和硬掩膜过磨削测的问题，对浅槽隔离工艺的重要指标“高度差”产生影响，为了控制“高度差”在一定的范围内，要求CMP工艺后有稳定的氮化硅厚度，本发明采用自动生产补偿系统和终点检测系统相结合的控制方法，解决了只采用终点检测系统的误检出和最大时间自动终止的问题，也消除了只采用自动生产补偿系统无法控制批次内的稳定性的问题。

主权项

权利要求书1、一种控制在浅槽隔离技术中CMP工艺后残余氮化硅厚度稳定性的方法，其特征在于采用自动生产补偿系统与抛光机台本身自带终点检测系统相结合的办法，控制硅片批次间和批次内残余氮化硅厚度稳定性，具体步骤如下：(1)、在自动生产补偿系统‘在线’状态下，测量和研磨生产监控硅片，系统计算得到设备的研磨速率；(2)、测量部分产品片，得到淀积膜厚的范围；(3)、生产片投入，在无终点检测系统的研磨盘上，由自动生产补偿系统指定标定为‘主清洗步骤’的研磨步骤的工艺时间；(4)、在无终点检测系统的研磨盘上，‘主清洗步骤’步骤后，增加短时间的固定时间研磨步骤；(5)、硅片转入启动终点检测系统的研磨盘，由自动生产补偿系统指定标定为‘主清洗步骤’的研磨步骤时间；(6)、在启动终点检测系统的研磨盘上，‘主清洗步骤’后，进入由终点检测系统控制研磨时间的工艺步骤。