| 发明名称 | 从镀膜操作除去金属的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于除去金属的化合物和方法，例如，从无电镀膜操作中除去离子钴，优选除去后的水平小于5ppm。接着，金属可以被填埋或为电解提取和再利用而再生。本发明使用一种离子交换介质，该介质含有硅石骨架并被膦酸盐基团官能化。 | ||
| 申请公布号 | CN101024205A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200610064795.8 | 申请日期 | 2006.12.12 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | S·R·瓦斯康切洛斯;N·R·布兰福德 |
| 分类号 | B01J39/16(2006.01);B01J39/18(2006.01);C02F1/42(2006.01);C02F1/62(2006.01);C25D21/22(2006.01) | 主分类号 | B01J39/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘维升;范赤 |
| 主权项 | 1、一种从无电镀膜操作中除去金属的方法，包括向所述操作添加包括以下式1化合物的组合物：<img file="A2006100647950002C1.GIF" wi="471" he="855" />其中R和R<sup>1</sup>分别独立地为氢，直链或支链C<sub>1-40</sub>烷基，C<sub>2-40</sub>链烯基或C<sub>2-40</sub>炔基，芳基或C<sub>1-40</sub>烷芳基或任选的络合金属离子M<sup>n+</sup>/n，其中n是从1到8的整数；硅酸盐氧原子的自由价被下列一种或多种饱和：式1中其它基团的硅原子，氢，直链或支链C<sub>1-12</sub>烷基或交联桥成员R<sup>3</sup><sub>q</sub>M<sup>1</sup>(OR<sup>2</sup>)<sub>m</sub>O<sub>k/2</sub>或Al(OR<sup>2</sup>)<sub>3-p</sub>O<sub>p/2</sub>或R<sup>3</sup>Al(OR<sup>2</sup>)<sub>2-r</sub>O<sub>r/2</sub>；其中M<sup>1</sup>是Si或Ti；R<sup>2</sup>是直链或支链C<sub>1-12</sub>烷基；R<sup>3</sup>是直链或支链C<sub>1-6</sub>烷基；k是从1到4的整数，q和m是从0到2的整数；以使得m+k+q＝4；p是从1到3的整数；r是从1到2的整数；或者其它已知的氧金属桥键体系；x，y和z是整数以使对于片断[O<sub>3/2</sub>SiCH(CH<sub>2</sub>PO(OR)(OR<sup>1</sup>))CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>SiO<sub>3/2</sub>]<sub>x</sub>和[O<sub>3/2</sub>SiCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>PO(OR)(OR<sup>1</sup>)]<sub>y</sub>始终存在的情况x∶y+z的比值为从0.00001到100000变化，同时整数z是从0到200y。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||