Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung mit hoher Kanalbeweglichkeit und Verfahren zu deren Fertigung

摘要

Eine Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung mit einer MOS-Struktur weist auf: ein Substrat (1, 31, 61); einen Kanalbereich (2, 34, 64) in dem Substrat (1, 31, 61); einen ersten Störstellenbereich (4, 36, 66, 67); einen zweiten Störstellenbereich (5, 37, 73); einen Gate-Isolierfilm (6, 38, 68) auf dem Kanalbereich (2, 34, 64) und ein Gate (7, 35, 65) auf dem Gate-Isolierfilm (6, 38, 68). Der Kanalbereich (2, 34, 64) sieht einen elektrischen Strompfad vor. Der Kanalbereich (2, 34, 64) und der Gate-Isolierfilm (6, 38, 68) weisen eine Schnittstelle zueinander auf. Die Schnittstelle weist ein Dangling Bond auf, das durch ein Wasserstoffatom oder ein Hydroxyl abgeschlossen wird. Die Schnittstelle weist eine Wasserstoffkonzentration von größer oder gleich 2,6 x 10·20· cm·-3· auf.