Integrierte Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistor, insbesondere mit Tunnel-Feldeffekttransistor

摘要

Erläutert werden unter anderem Tunnel-Feldeffekttransistoren, die ein im Vergleich zu anderen Transistoren (T2) auf der gleichen integrierten Schaltungsanordnung (10) dickeres Gate-Dielektrikum (GD1) haben. Alternativ oder zusätzlich haben diese Tunnel-Feldeffekttranistoren Gate-Bereiche an voneinander abgewandten Seiten eines Kanalausbildungsbereichs bzw. einer Grenzfläche zwischen den Anschlussbereichen (D1, S1) des Tunnel-Feldeffekttransistors.