| 摘要 |
Un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur réalisé dans une configuration en tranchée ou en rainure est pourvu d'une protection contre le claquage dû à la tension, par la formation d'une région de blindage (30) adjacente à la couche isolante (15) qui borde la grille (12) du transistor. La région de blindage (30) est soit plus légèrement dopée que, ou bien présente une conductivité opposée à, celle de la région (13) dans laquelle elle est formée, normalement la région de migration ou de drain (13), et elle est formée de manière adjacente à un point situé au niveau ou à proximité d'un coin (18) à la limite entre la couche isolante (15) et la région de migration de drain (13), où le claquage par tension risque le plus de se produire. |
