发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种显示装置及其制造方法,该显示装置形成有薄膜晶体管,上述薄膜晶体管由n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管构成,在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的栅电极的上述栅极绝缘膜侧上形成由与该栅电极的材料不同的材料构成的金属层,在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中至少一个半导体层上形成有LDD层。 |
申请公布号 |
CN101521212A |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200910126111.6 |
申请日期 |
2009.02.27 |
申请人 |
株式会社日立显示器 |
发明人 |
大植荣司;宫泽敏夫 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
1. 一种显示装置,具有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管,其特征在于:上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘膜以及栅电极,上述半导体层具有沟道区域、源极区域以及漏极区域,上述栅极绝缘膜形成在上述半导体层的上层,上述栅电极跨上述半导体层而形成在上述栅极绝缘膜的上层,在上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的上述栅电极的上述栅极绝缘膜一侧形成有由与上述栅电极的材料不同的材料构成的金属层,在上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管中的至少一方薄膜晶体管的上述沟道区域与上述源极区域之间、以及上述沟道区域与上述漏极区域之间形成有杂质浓度比上述源极区域和上述漏极区域低的区域。 |
地址 |
日本千叶县 |