发明名称 半导体器件
摘要 本发明提供一种半导体器件。上侧及下侧开关元件通过使控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换。控制单元控制该控制电压的大小而使上侧/下侧开关元件交替地导通。控制单元进行控制,以在上侧开关元件导通状态和非导通状态之间进行切换时刻的前后,使下侧开关元件的控制电压的绝对值成为比阈值电压的绝对值小、比基准电压大的中间电压。
申请公布号 CN100536301C 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200510116183.4 申请日期 2005.10.25
申请人 株式会社东芝 发明人 远藤幸一;高桥守郎
分类号 H02M3/155(2006.01)I 主分类号 H02M3/155(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 胡建新
主权项 1.一种半导体器件,其特征在于包括:上侧半导体开关元件,包括被施加第1控制电压的第1控制端子,通过使所述第1控制电压从高电平变化到低电平、或从低电平变化到高电平,而在导通状态和非导通状态之间切换;下侧半导体开关元件,在连接点与所述上侧半导体开关元件串联连接,而且包括被施加第2控制电压的第2控制端子,通过使所述第2控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换;以及控制单元,控制所述第1控制电压及所述第2控制电压的电平而使所述上侧半导体开关元件和所述下侧半导体开关元件交替地导通,所述控制单元将所述第2控制电压的绝对值控制为比所述下侧半导体开关元件的阈值电压的绝对值小、比接地电压大的中间电压,并在切换期间持续将所述中间电压施加在所述第2控制端子上,所述阈值电压是导通所述下侧半导体开关元件所需的最小栅-源电压,所述切换期间是在所述第1控制电压在高电平和低电平之间的逻辑切换之前开始、并在所述第1控制电压在高电平和低电平之间的所述逻辑切换之后结束。
地址 日本东京都