| 发明名称 | 用以制备具有短栅极的MOSFET的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明用以制备具有短栅极的MOSFET的结构和方法提供一种生产半导体器件的方法，该方法在一个实施例中包括：提供在衬底上面包括栅极结构的半导体器件，该栅极结构包括双栅极导体，该双栅极导体包括上栅极导体和下栅极导体，其中至少下栅极导体包括含硅材料；相对于下栅极导体有选择性地去除上栅极导体；在至少下栅极导体上沉积金属；以及由金属和下栅极导体产生硅化物。在另一实施例中，本发明方法包括作为下栅极导体的金属。 | ||
| 申请公布号 | CN101488453A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200910004832.X | 申请日期 | 2009.01.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朱慧珑;B·J·格林;王延锋;梁大源 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华;陈宇萱 |
| 主权项 | 1. 一种制备器件的方法，包括：提供在衬底上面包括栅极结构的半导体器件，所述栅极结构包括双栅极导体，所述双栅极导体包括上栅极导体和下栅极导体，其中至少所述下栅极导体包括含硅材料；相对于所述下栅极导体有选择性地去除所述上栅极导体；在至少所述下栅极导体上沉积金属；以及由所述金属和所述下栅极导体产生硅化物。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||