发明名称 |
一种制造半导体器件的方法 |
摘要 |
一种制造半导体器件或其它类型器件和/或实体的方法。所述方法包括提供与半导体器件制造相关的过程(例如蚀刻、沉积、注入)。所述方法包括采集多个信息(例如数据),所述信息具有与过程相关的至少一个参数在确定周期内的非单调趋势。所述方法包括处理具有非单调趋势的多个信息。所述方法包括从所处理的具有非单调趋势的多个信息检测递增或递减的趋势。所述方法包括基于至少所检测到的递增或递减的趋势而执行动作。 |
申请公布号 |
CN100517136C |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200610025382.9 |
申请日期 |
2006.03.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
简维廷;杨斯元 |
分类号 |
G05B13/04(2006.01)I;G05B19/048(2006.01)I |
主分类号 |
G05B13/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐 谦;杨红梅 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供与半导体器件的制造相关的过程;采集多个信息,所述信息具有与所述过程相关的至少一个参数在确定周期内的非单调趋势;利用逆排序试验处理具有所述非单调趋势的多个信息;从所处理的具有非单调趋势的多个信息中利用逆排序试验检测递增或递减的趋势;以及基于至少所检测到的递增或递减的趋势而执行动作。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |