形成掩埋隔离区的方法以及具有掩埋隔离区的半导体器件

摘要

半导体结构和形成半导体结构的方法。半导体结构包括纳米结构或使用纳米结构制造。形成半导体结构的方法包括使用纳米掩模产生纳米结构和使用产生的纳米结构实施附加半导体工艺步骤。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在所述硅衬底的顶表面上形成硬掩模层；(c)在不实施光刻工艺的情况下在所述硬掩模层的顶表面上形成掩模层，所述掩模层具有纳米尺寸的掩蔽图形，其中所述纳米尺寸为2纳米到100纳米；(d)将所述掩蔽图形蚀刻到所述硬掩模层中以形成具有开口的构图的硬掩模层，所述开口从所述构图的硬掩模层的顶表面延伸到所述硅衬底的所述顶表面，其中所述开口或所述开口之间的距离中的至少一个独立地具有至少一个平行于所述硅衬底的所述顶表面延伸的空间范围；以及(e)在除去所述掩模层之后，在所述构图的硬掩模层的顶表面上形成单晶IV族半导体层，所述单晶IV族半导体层填充所述构图的硬掩模层中的所述开口。