化合物半导体器件晶片的制造方法及其制造的晶片和器件

摘要

本发明的一个目的是提供一种制造化合物半导体器件晶片的方法，所述方法能够精确地且以相当高的成品率解理晶片，获得高处理速度，并提高生产率。本发明方法用于制造化合物半导体晶片，所述晶片包括衬底和多个化合物半导体器件，所述多个化合物器件设置在所述衬底上并且排列有设置在所述化合物半导体器件之间的分离区，所述方法包括以下步骤：在所述分离区处所述衬底的顶面(即所述化合物半导体侧的表面)上，在化合物半导体层存在于所述衬底的所述顶面上的条件下，通过激光处理形成分离槽。

主权项

1.一种制造化合物半导体器件晶片的方法，所述晶片包括衬底和多个化合物半导体器件，所述多个化合物半导体器件设置在所述衬底上并且排列有设置在所述化合物半导体器件之间的分离区，所述方法包括以下步骤：在抛光衬底背面进行减薄以使所述衬底背面的表面粗糙度为0.01μm以上且0.3μm以下之后，在所述分离区处所述衬底的顶面即所述化合物半导体侧的表面上，在厚度为5μm以上的化合物半导体层存在于所述衬底的所述顶面上的状态下，通过激光法形成剖面形状为V型的分离槽。