为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件

摘要

本发明涉及为半导体器件提供具有在控制电极(3)与第一和第二主电极延伸(4，5)之间的受控重叠的控制电极结构的而不必使用许多隔离物的方法。另外，该方法提供深腐蚀绝缘层(2)的步骤。该步骤是在无定形化和注入主电极延伸(4，5)之后执行的，因为使延伸(4，5)无定形化的步骤也使绝缘层(2)部分无定形化。因为无定形绝缘体与晶体绝缘体的蚀刻率不同，这可以用作自然的蚀刻挡板以使重叠可更好地细调节。本发明还提供了相应的半导体器件。

主权项

1.一种用于处理半导体器件结构的方法，其特征在于，该方法包括：在基片(1)上设置绝缘层(2)和控制电极(3)，通过在相对于垂直于基片(1)的方向的第一角度下通过加速离子将基片(1)的要注入以形成第一和第二主电极延伸(4，5)的区无定形化，并使部分所述绝缘层(2)无定形化，在相对于垂直于基片(1)的方向的第二角度下注入第一和第二主电极延伸(4，5)，为了将控制电极(3)与第一和第二主电极延伸(4，5)之间的电容性重叠减少但不是减少到零的重叠级，深腐蚀所述绝缘层(2)以形成凹槽(8，9)，所述绝缘层(2)的无定形化部分在所述绝缘层(2)中定义了一个蚀刻档板，它决定要在绝缘层(2)中形成的所述凹槽(8，9)的大小。