发明名称 | 凹入式通道半导体元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种形成凹入式通道半导体元件之方法,包含提供一基板结构,系包含一硬遮罩层于一基板上,且硬遮罩层具有复数个开口配置成阵列,系各暴露一沟渠式半导体结构于基板内;形成栓塞于各开口中,且与硬遮罩层邻接;移除硬遮罩层;形成间隙壁于各栓塞之侧壁;沿一第一方向,形成复数个沟渠隔离于基板中,且于沟渠式半导体结构之两侧,以界定一主动区域;以及以间隙壁为罩幕,去除基板至一预定深度,以形一凹入式通道。本发明亦提供一种具有管体轮廓之凹入式通道半导体元件。 | ||
申请公布号 | TW200924115 | 申请公布日期 | 2009.06.01 |
申请号 | TW096145005 | 申请日期 | 2007.11.27 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林瑄智;张渊琮;陈顺福;林聪志;李中元;郭哲铨 |
分类号 | H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 蔡玉玲 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |