| 摘要 |
本发明提供一种制造包含含有p-n接面的矽基材的光伏打设备的方法，其中该方法包括步骤：通过在至少一个矽基材的表面上由组合物化学气相沉积形成无定形碳化矽抗反射涂层，其中该组合物包含由有机矽烷、胺基矽烷及其混合物组成的组中选择的前驱物，其中该无定形碳化矽抗反射涂层是由式Si#sB!v#eB!C#sB!x#eB!N#sB!u#eB!H#sB!y#eB!F#sB!R#eB!表示的薄膜，其中v+x+u+y+z=100％,v为1-35原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％且z为0-15原子％。 |
