| 摘要 |
本发明系有关于一种相变化记忆胞阵列，其系藉由形成一分离层于一接点阵列之上、形成一图案化层于分离层之上、以及藉由微影制程形成一幕罩开口阵列于图案化层之中而完成。蚀刻幕罩系形成于幕罩开口中，其形成方法系补偿了幕罩开口的尺寸变化，因为开口的尺寸变化会受到微影制程的影响。蚀刻幕罩系用以蚀刻穿过分离层以定义一电极开口阵列及裸露底下的接点。电极材料系沈积于电极开口之中；以及记忆元件系形成于底电极之上；最后，位元线形成于记忆元件之上以完成记忆胞。在完成之记忆阵列中，底电极上表面之临界尺寸变异系小于记忆元件在幕罩开口中的宽度。 |
