| 发明名称 | 磁性材料 | ||
| 摘要 | 本发明为一种磁性材料，其具有对应于ε-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的结晶结构的X射线衍射峰，包含用Ga<sup>3+</sup>离子取代ε-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>结晶的部分Ga<sup>3+</sup>离子位而成的ε-Ga<sub>x</sub>Fe<sub>2-x</sub>O<sub>3</sub>[其中，0＜X＜1]的结晶。该磁性材料的矫顽力随着Ga含量而降低，饱和磁化强度显示出极大值。 | ||
| 申请公布号 | CN101410331A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200780011259.4 | 申请日期 | 2007.03.28 |
| 申请人 | 国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司 | 发明人 | 大越慎一;桥本和仁;樱井俊介;黑木施老;佐藤王高;佐佐木信也 |
| 分类号 | C01G49/00(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;G11B5/706(2006.01)I;H01F1/11(2006.01)I;H01F10/22(2006.01)I | 主分类号 | C01G49/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李 帆 |
| 主权项 | 1、磁性材料，其具有对应于ε-Fe2O3的结晶结构的X射线衍射峰，包含用Ga3+离子取代ε-Fe2O3结晶的部分Fe3+离子位而成的ε-GaxFe2-xO3的结晶，其中，0＜X＜1。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||