用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法

摘要

一种用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法，该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出一开口区域。该导电结构可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一第一导体层、一第二导体层以及一底层，该底层形成于该第一导体层以及该衬垫之间。该第一导体层的横向尺寸大于该第二导体层的横向尺寸，以使该导电结构可符合缩减的脚距规格，同时又可保护该衬垫，以避免被蚀刻。

主权项

1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一开口区域，该导电结构可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接；该导电结构包含：一第一导体层，具有一第二横向尺寸，至少局部形成于该开口区域内；以及一第二导体层，具有一第三横向尺寸，形成于该第一导体层上，与该第一导体层呈电性连接；其中该第二横向尺寸基本上不小于该第一横向尺寸，该第三横向尺寸基本上小于该第二横向尺寸。