发明名称 粘接片及使用该粘接片的半导体制造装置的制造方法
摘要 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤,同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的,本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于,由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成,该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性,热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×10<sup>3</sup>~1.0×10<sup>4</sup>Pa,热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100~200Pa·秒,使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时,其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。
申请公布号 CN100479105C 申请公布日期 2009.04.15
申请号 CN200580014869.0 申请日期 2005.05.12
申请人 夏普株式会社;琳得科株式会社 发明人 福井靖树;山崎修;佐伯尚哉
分类号 H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I 主分类号 H01L21/301(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 胡 烨
主权项 1.切割·芯片接合兼用粘接片,其特征在于,由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成,该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性,热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103~1.0×104Pa,热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100~200Pa·秒,使热固化前的粘接剂层保持在120℃的恒定温度时,其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。
地址 日本大阪府