| 发明名称 | 适用于高方阻的低温烧结技术 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于高方阻的低温烧结技术，现有技术的银被驱赶得太深，导致高导电性的磷扩散区域被封闭等缺陷，本发明是将欲扩散的方块电阻调节至66～75欧姆之间，将银浆按照0.4～0.6g的湿重印刷在方块电阻上，再将印刷了银浆的方块电阻以3000～5000mm/min的速度穿越200～450℃的低温烧结炉进行烧结。本发明可以在扩散浅结低浓度的情况下形成好的欧姆接触，提升短路电流和开路电压；避免了死层效应带来的转换效率降低的缺陷。可以在低温情况下使得银与硅形成好的欧姆接触得到较低的串联电阻和较高的填充因子、短路电流；通过烧结穿透实现与N型扩散区的欧姆接触而同时又不会损坏附近的结区。 | ||
| 申请公布号 | CN101908577A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200910099023.1 | 申请日期 | 2009.06.04 |
| 申请人 | 胡本和 | 发明人 | 胡本和 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;F27B5/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人 | 戴晓翔;胡龙祥 |
| 主权项 | 适用于高方阻的低温烧结技术，其特征是：将欲扩散的方块电阻调节至66～75欧姆之间，将银浆按照0.4～0.6克的湿重印刷在方块电阻上，再将印刷了银浆的方块电阻以3000～5000mm/min的速度穿越200～450℃的低温烧结炉进行烧结。 | ||
| 地址 | 333100 江西省鄱阳县芦田产业园佳辉光电科技有限公司 | ||