一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法

摘要

本发明提供了一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法，在LED的SiC衬底上按常规工艺制作出金属电极(即N电极)后，通过局部激光高温退火，使得整个金属电极上40-60％的面积经过激光高温退火形成欧姆接触。一般用激光退火方法，退火区域呈5-15m宽度间隔的条状带，或者退火区域是一系列点阵点。本发明简单易控制，避免了整个器件浸入高温环境，而是通过局部高温退火形成欧姆接触。既形成了良好的欧姆接触电极，又减小了对器件整体性能的影响。

主权项

一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法的，其特征是：在LED的SiC衬底上按常规工艺制作出金属电极后，通过对电极进行部分区域激光退火，使得整个金属电极上只有40 60％的面积经过800 1000℃高温，形成欧姆接触。