发明名称 铜电极结构的制造方法及其应用
摘要 一种铜电极结构的制造方法及其应用。此方法包含如下步骤:依序形成含铜金属层和第一绝缘层于基板上;形成图案化光阻层于第一绝缘层上;利用含氧等离子体来进行蚀刻第一绝缘层,并形成氧化铜层于基板上,以形成图案化绝缘层和铜电极结构,图案化绝缘层位于铜电极结构上;以及移除图案化光阻层和氧化铜层,此方法可应用于薄膜晶体管、显示基板、液晶显示面板及其制造方法中。
申请公布号 CN101908478A 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200910146910.X 申请日期 2009.06.05
申请人 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 发明人 黄隽尧;陈政远;王裕芳;马竣人
分类号 H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/283(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 孙长龙
主权项 一种铜电极结构的制造方法,包含:提供一基板;依序形成一含铜金属层和一第一绝缘层于该基板上;形成一图案化光阻层于该第一绝缘层上;利用一含氧等离子体来进行蚀刻,以移除未被该图案化光阻层所覆盖的该第一绝缘层,并形成一氧化铜层于该基板上,且形成一图案化绝缘层和该铜电极结构,该图案化绝缘层是位于该铜电极结构上;以及移除该图案化光阻层和该氧化铜层。
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