发明名称 |
成膜方法及成膜装置 |
摘要 |
本发明提供一种成膜方法,具有:使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序;向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序;以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量,将一价的羧酸金属盐膜(2)分解,形成金属膜(3)的工序。 |
申请公布号 |
CN101910459A |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200880123403.8 |
申请日期 |
2008.12.25 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
军司勋男;三好秀典;伊藤仁 |
分类号 |
C23C16/448(2006.01)I;C23C16/16(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/448(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
苗堃;金世煜 |
主权项 |
一种成膜方法,其特征在于,具有:使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序;向基板上供给所述一价的羧酸金属盐气体的工序;以及对基板提供能量,将向基板上供给的所述金属的羧酸盐分解而形成金属膜的工序。 |
地址 |
日本东京都 |