| 发明名称 | 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101882636A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN201010175445.5 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 朱洪亮;张兴旺;朱小宁;刘德伟;马丽;黄永光 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光层；以及在硅基衬底背面制作的掺杂广谱吸收层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||