具有测试结构的半导体器件和晶片以及评估凸块下金属化的附着力的方法

摘要

一种半导体器件，具有在公共接触区(22)中互相电连接的图案化焊盘金属层和图案化凸块下金属化层。所述半导体器件包括用于确定在公共接触区(22)中的图案化焊盘金属层和图案化凸块下金属化层之间的接触电阻的第一测试结构(11)。所述第一测试结构包括焊盘金属层部分(24)，以及通过公共接触区(22)与焊盘金属层部分(24)电连通的金属化层部分(18)。所述第一测试结构(11)还包括实质上经由公共接触区(22)彼此电连接的连接区(14、16)。在连接区(14、16)之间施加电流时，发生表示公共接触区(22)上的压降的压降。

主权项

一种半导体器件，设置有在一个或更多个公共接触区中相互电连接的图案化焊盘金属层和图案化凸块下金属化层，其中所述半导体器件包括用于确定在第一公共接触区中图案化金属化层和图案化焊盘金属层之间的接触电阻的第一测试结构，所述第一测试结构包括作为图案化焊盘金属层的一部分的焊盘金属层部分，以及包括作为图案化凸块下金属化层的一部分、并且通过第一公共接触区与所述焊盘金属层部分电连通的金属化层部分，所述第一测试结构还包括经由第一导电路径、经由第一公共接触区并穿过所述焊盘金属层部分彼此电连接的第一和第二连接区，第一导电路径实质上延伸穿过所述金属化层部分，并且所述第一测试结构包括经由第二导电路径彼此电连接的第三和第四连接区，第二导电路径经由所述第一公共接触区延伸，其中在第一和第二连接区之间施加电流时，在第三和第四连接区之间发生压降，表示所述第一公共接触区上的压降。