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一种下层膜形成材料，其特征为含有共聚合选自于以下式子所成群的重复单位之茚类、与具有羟基或环氧基的同时亦具有聚合性双键之化合物所成之高分子化合物、以及交联剂；@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10008.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项之下层膜形成材料，其中具有羟基或环氧基的同时亦具有聚合性双键之化合物为共聚合羟基苯乙烯或环氧丙醚苯乙烯所成之高分子化合物。如申请专利范围第1项或第2项之下层膜形成材料，其中更含有有机溶剂及酸产生剂。一种图型形成方法，其特征为将如申请专利范围第1项至第3项中任一项之下层膜形成材料所成的下层膜适用于被加工基板上，该下层膜上适用光阻组成物层，以放射线照射该光阻层所用区域，以显像液显像形成光阻图型，其次以乾蚀刻装置将该光阻图型层作为光罩加工下层膜层及被加工基板。如申请专利范围第4项之图型形成方法，其中光阻组成物由烃化合物所成，藉由将光阻层作为光罩加工下层膜之乾蚀刻进行加工。如申请专利范围第4项之图型形成方法，其中光阻组成物为含有含矽原子聚合物，将光阻层作为光罩加工下层膜之乾燥蚀刻，使用以氧气为主体的蚀刻气体进行。一种图型形成方法，其特征为将如申请专利范围第1项至第3项中任一项之下层膜形成材料所成的下层膜适用于被加工基板上，该下层膜上适用含有矽原子的中间层，该中间层上适用光阻组成物层，以放射线照射该光阻层所用区域，以显像液显像形成光阻图型，其次以乾蚀刻装置将该光阻图型层作为光罩加工中间膜层，除去光阻图型层后，将上述经加工的中间膜层作为光罩加工下层膜层，再加工被加工基板。如申请专利范围第7项之图型形成方法，其中光阻组成物为含有未含矽原子之聚合物，将中间层膜作为光罩加工下层膜之乾蚀刻，使用以氧气作为主体的蚀刻气体进行。 |
