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发明名称
半导体发光元件、半导体发光元件之制造方法及灯
摘要
本发明是提供能够有效率地输出紫外光之半导体发光元件及其制造方法。;半导体发光元件1系具备有:含有p型半导体层14,至少具有紫外区域的发光波长之半导体层、及被设置在前述p型半导体层14上之透光性电极15,前述透光性电极15则含有被结晶化之IZO膜。
申请公布号
TWI359509
申请公布日期
2012.03.01
申请号
TW096113231
申请日期
2007.04.14
申请人
昭和电工股份有限公司 日本
发明人
福永修大;大泽弘
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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