| 发明名称 |
记忆体及其制造方法 |
| 摘要 |
一种记忆体，包括一绝缘底层、一导体层、一第一电荷储存结构以及一第二电荷储存结构。绝缘底层系设置于一第一绝缘墙及一第二绝缘墙之间。导体层系设置于绝缘底层上，并位于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。第一电荷储存结构邻近于第一绝缘墙设置，并以该第一绝缘墙与导体层隔开。第二电荷储存结构离近于第二绝缘墙设置，并以第二绝缘墙与导体层隔开。 |
| 申请公布号 |
TWI371086 |
申请公布日期 |
2012.08.21 |
| 申请号 |
TW097100253 |
申请日期 |
2008.01.03 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
赖二琨;施彦豪;杨令武;郑俊民 |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
