发明名称 半导体积体电路装置之制造方法
摘要 本发明之目的在于于具有空洞(Air-Gap)构造之多层之镶嵌配线中防止偏离导孔之金属形成不良。在连接孔之形成区域,以可选择性地除去之绝缘膜形成牺牲膜柱42之后,在相邻之镶嵌配线之间形成具有空洞(Air-Gap)45之层间绝缘膜44,藉此完全分离导孔与空洞45。根据本发明,可形成具有高可靠性之导孔连接,藉由空洞降低寄生电容之多层埋入配线。
申请公布号 TWI387049 申请公布日期 2013.02.21
申请号 TW095142475 申请日期 2006.11.16
申请人 日立制作所股份有限公司 日本 发明人 林宽之;大岛隆文;青木英雄
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本
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