发明名称 二极体元件改良结构
摘要 本创作二极体元件改良结构主要包含一晶粒,并于晶粒顶部与底部分别与一导线电接触,而导线依序设有承载区段、弯折区段及延伸区段,其中,承载区段与晶粒焊接,而弯折区段设有至少一截面积小于承载区段及延伸区段的凹折部,藉由缩减上述凹折部面积,使导线弯折的阻抗变小且容易弯折。本创作二极体元件改良结构便藉由改良导线,进而降低导线弯折加工机具的要求效能来减少成本,并间接提升二极体元件制造的效益。
申请公布号 TWM447593 申请公布日期 2013.02.21
申请号 TW101219686 申请日期 2012.10.12
申请人 和黄科技股份有限公司 宜兰县宜兰市女中路3段80号6楼 发明人 刘承苍;黄明德;吴彦呈
分类号 H01L23/49 主分类号 H01L23/49
代理机构 代理人 易定芳 台北市松山区八德路3段20号5楼之3
主权项
地址 宜兰县宜兰市女中路3段80号6楼