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发明名称
发光元件之制作方法
摘要
本发明提供一种发光元件之制作方法,包括:提供一第一基板;形成复数个图案化罩幕层于该第一基板上方或蚀刻该第一基板形成复数个沟槽;以磊晶侧向生长(epitaxial lateral overgrowth)方法成长一磊晶层于第一基板上方;形成一发光二极体结构于磊晶层上;形成一第一电极层于发光二极体结构上;将发光二极体结构键合到一第二基板;及进行一光辅助电化学蚀刻,将第一基板从磊晶层剥离。
申请公布号
TWI412157
申请公布日期
2013.10.11
申请号
TW099143450
申请日期
2010.12.13
申请人
国立台湾大学 台北市大安区罗斯福路4段1号
发明人
杨志忠;林政宏;陈志谚;廖哲浩;谢劼
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址
台北市大安区罗斯福路4段1号
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