溅镀靶及氧化物半导体膜

摘要

本发明系为一种含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)之氧化物的溅镀靶，其为含有以ZnGa2O4所示之化合物及InGaZnO4所示之化合物之溅镀靶。