一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元

摘要

一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，包括控制管、隧穿管、读取管以及选择管，控制管和隧穿管均采用改进型N阱电容实现，读取管采用NMOS晶体管或本征管实现，选择管采用NMOS晶体管实现，控制管、隧穿管和读取管三管的栅极并接，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离，所述的控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管驻留在第二个N阱中，读取管驻留在P衬底或第一个P阱中，选择管驻留在第一个P阱中，所述改进型N阱电容是在栅极两侧的N阱中分别掺杂N+类型和P+类型的杂质，形成N+区域和P+区域，同时栅极多晶为N+类型的杂质注入。本发明提出了改进型N阱电容。其在实现与标准CMOS工艺兼容的同时，提高存储单元的擦写效率和稳定性。

主权项

一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管、读取管以及选择管，控制管和隧穿管均采用改进型N阱电容实现，读取管采用NMOS晶体管或本征管实现，选择管采用NMOS晶体管实现，控制管、隧穿管和读取管三管的栅极并接，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离，所述的控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管驻留在第二个N阱中，读取管驻留在P衬底或第一个P阱中，选择管驻留在第一个P阱中，所述改进型N阱电容是在栅极两侧的N阱中分别掺杂N+类型和P+类型的杂质，形成N+区域和P+区域，同时栅极多晶为N+类型的杂质注入。