ECR离子/电子/离子交替照射工艺制备三明治碳膜及方法

摘要

本发明公开了ECR离子/电子/离子交替照射工艺制备三明治碳膜及方法，通过在电子照射碳膜两侧镀制离子照射碳膜，制作第一层离子照射碳膜层、第二层电子照射碳膜层以及第三层离子照射碳膜层，通过控制不同的离子/电子照射时间可以获得不同离子/电子厚度比值的三明治结构碳膜。该工艺可以调节对三明治碳膜中离子/电子照射碳膜厚度比，来控制并改善碳膜的粗糙度、摩擦学性能和纳米力学性能，同时，该方法制备的碳膜保留了电子照射碳膜良好的电学性质。

主权项

一种ECR离子/电子/离子交替照射工艺制备三明治碳膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、第一层离子照射碳膜层的制备：1.1)、ECR等离子体加工系统开放式工作模式下，向ECR等离子体加工系统的等离子体腔体中加入硅基体，将等离子体腔体抽真空后，通入氩气，通过施加磁线圈电流和微波功率，使通入的氩气气体离化，获得氩等离子体；1.2)、给碳靶和基片施加直流偏压，使得氩离子加速轰击靶材，靶材中的碳沉积在基片表面形成第一层离子照射碳膜层；2)、第二层电子照射碳膜层的制备：2.1)、调节ECR等离子体加工系统于封闭式工作模式下，施加磁线圈电流以及微波功率，获得氩等离子体；2.2)、给碳靶和基片施加直流偏压，使得氩离子加速轰击靶材，使靶材中的碳沉积在第一层离子照射碳膜层表面，形成第二层电子照射碳膜层；3)、第三层离子照射碳膜层制备：3.1)、将ECR等离子体加工系统调整到开放式工作模式下，将等离子体腔体抽真空后，通入氩气，通过施加磁线圈电流和微波功率，使通入的氩气气体离化，获得氩等离子体；3.2)、给碳靶和基片施加直流偏压，使得氩离子加速轰击靶材，靶材中的碳沉积在基片表面形成第三层离子照射碳膜层。