| 发明名称 | 半导体光学装置和半导体光学装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体光学装置具有：芯片，其是半导体叠层的芯片，所述半导体叠层具有：具有第1面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面的与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层、和夹在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层，所述芯片的侧面包括：第1侧面，其与所述第2面连续，与第2面之间形成钝角，横截所述第2半导体层和所述有源层，并进入到所述第1半导体层；和与所述第1侧面连续的分割面；第1导电型侧电极，其形成在所述第1面上；以及第2导电型侧电极，其形成在所述第2面上，所述半导体叠层的面内尺寸是50μm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104956499A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201380070732.1 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 斯坦雷电气株式会社 | 发明人 | 斋藤龙舞 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种半导体光学装置，其中，所述半导体光学装置具有：芯片，其是半导体叠层的芯片，所述半导体叠层具有：具有第1面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面的与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层、和夹在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层，所述芯片的侧面包括：第1侧面，其与所述第2面连续，与第2面之间形成钝角，横截所述第2半导体层和所述有源层，并进入到所述第1半导体层；和与所述第1侧面连续的分割面；第1导电型侧电极，其形成在所述第1面上；以及第2导电型侧电极，其形成在所述第2面上，所述半导体叠层的面内尺寸是50μm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||