具电阻性元件的非易失性存储器与存储单元结构及其制法

摘要

一种非易失性存储器的存储单元结构，包括：第一金属层；第一介电层，形成于该第一金属层上方，其中，该第一介电层中具有第一穿透洞，以暴露出该第一金属层；第二介电层，形成于该第一穿透洞的内侧表面；第一障壁层，覆盖于该第二介电层上；第一过渡层，接触于该第一金属层；第二金属层，形成于该第一穿透洞内并接触于该第一过渡层一第三介电层，形成于该第二金属层与该第一介电层上方，其中，该第三介电层中具有第二穿透洞，以暴露出该第二金属层；第四介电层，形成于该第二穿透洞的内侧表面；第二障壁层，覆盖于该第四介电层上；一第二过渡层，接触于该第二金属层；以及第三金属层，形成于该第二穿透洞内并接触于该第二过渡层。

主权项

一种非易失性存储器的存储单元结构，包括：一第一金属层；一第一介电层，形成于该第一金属层上方，其中，该第一介电层中具有一第一穿透洞，以暴露出该第一金属层；一第二介电层，形成于该第一穿透洞的内侧表面；一第一障壁层，覆盖于该第二介电层上；一第一过渡层，由该第二介电层与该第一障壁层反应而成，且该第一过渡层接触于该第一金属层；一第二金属层，形成于该第一穿透洞内并接触于该第一过渡层；一第三介电层，形成于该第二金属层与该第一介电层上方，其中，该第三介电层中具有一第二穿透洞，以暴露出该第二金属层；一第四介电层，形成于该第二穿透洞的内侧表面；一第二障壁层，覆盖于该第四介电层上；一第二过渡层，由该第四介电层与该第二障壁层反应而成，且该第二过渡层接触于该第二金属层；以及一第三金属层，形成于该第二穿透洞内并接触于该第二过渡层。