发明名称 可控硅式发射器
摘要 可控硅式发射器,属于电子技术领域,由电池、控制开关、可控硅型控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成一种将具有三种状态的普通编码升级为高密编码的形式,编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,连接可控硅型控制电路的输出,其余接为固定码,当控制开关接通电池,发射器带电,可控硅型控制电路启动,控制编码集成电路的变动码形成两种状态的变换,编码集成电路就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对射频电路中发射管的激励,达到双码调制发射的目的,为研究另类发射提供了广阔的空间。
申请公布号 CN204681348U 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201520405666.5 申请日期 2015.06.14
申请人 重庆尊来科技有限责任公司 发明人 杨飞
分类号 H04B1/04(2006.01)I 主分类号 H04B1/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 可控硅式发射器,其特征是:由电池、控制开关、可控硅型控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成;其中:电池的负极接可控硅式发射器的地线,电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为可控硅式发射器的电源;编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,连接可控硅型控制电路的输出,其余接为固定码;可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成;积分电路由积分电阻、放电二极管、门坎稳压管、积分电阻组成;阳极电阻接在电源与可控硅的阳极之间,积分电阻的一端接可控硅的阳极,另一端接积分电容的正极,积分电容的负极接地线,放电二极管的正极接在积分电容的正极上,负极接在可控硅的阳极上,门坎稳压管的正极接积分电容的正极,门坎稳压管的负极接可控硅的控制极,可控硅的阴极接地线,可控硅的阳极即是可控硅型控制电路的输出,连接编码集成电路的变动码;编码集成电路的输出连接射频电路。
地址 401424 重庆市綦江县隆盛镇关口街17号