发明名称 一种减小应力堆叠背照式影像传感器的晶圆级封装结构
摘要 本发明涉及一种减小应力堆叠背照式影像传感器的晶圆级封装结构,它包括从上往下顺序设置的基底芯片底层、基底芯片有源层、堆叠芯片有源层和堆叠芯片底层,从堆叠芯片底层的下表面开始向上开设有切割槽,切割槽的槽口朝下,切割槽的槽底位于基底芯片底层的下表面;在切割槽内设有光阻墙,光阻墙的高度大于切割槽的深度,在光阻墙的墙底部键合有封盖。本发明的封装体在做背面工艺所承受的应力不经过堆叠芯片而是直接由基底芯片传递到封盖上,防止堆叠芯片由于应力过大导致其与基底芯片键合面分离或直接开裂。
申请公布号 CN104952897A 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201510412533.5 申请日期 2015.07.14
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 冯光建;张文奇
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 殷红梅;涂三民
主权项 一种减小应力堆叠背照式影像传感器的晶圆级封装结构,它包括从上往下顺序设置的基底芯片底层(1)、基底芯片有源层(2)、堆叠芯片有源层(3)和堆叠芯片底层(4),其特征是:从堆叠芯片底层(4)的下表面开始向上开设有切割槽(5),切割槽(5)的槽口朝下,切割槽(5)的槽底位于基底芯片底层(1)的下表面;在切割槽(5)内设有光阻墙(6),光阻墙(6)的高度大于切割槽(5)的深度,在光阻墙(6)的墙底部键合有封盖(7)。
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋