| 摘要 |
<p>본 발명은 주어진 순서의 뒤따르는 층들을 포함하는 반도체 웨이퍼에 관한 것이다: - 본질적으로 실리콘으로 이루어지고 (111) 면방위를 구비하는 단결정 기판 웨이퍼(1), - (111) 면방위를 구비하는 단결정 ScO층(3) - (111) 면방위를 구비하는 단결정 ScN 층(4), 및 - (0001) 면방위를 구비하는 0 ≤ z ≤ 1 인 단결정 AlGaN 층(6). 본 발명은 또한 이러한 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.</p> |
