Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren

摘要

Eine Halbleitervorrichtung mit einer verringerten Menge an Sauerstofffehlstellen in einem Kanalbildungsbereich eines Oxidhalbleiters wird bereitgestellt. Außerdem wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die einen Oxidhalbleiter enthält und verbesserte elektrische Eigenschaften aufweist. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Ein Oxidhalbleiterfilm wird ausgebildet, ein leitender Film wird über dem Oxidhalbleiterfilm in dem gleichen Schritt wie einem Schritt zum Ausbilden eines niederohmigen Bereichs zwischen dem Oxidhalbleiterfilm und dem leitenden Film ausgebildet, der leitende Film wird verarbeitet, um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auszubilden, und Sauerstoff wird dem niederohmigen Bereich zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode zugesetzt, so dass ein Kanalbildungsbereich mit einem höheren Widerstand als der niederohmige Bereich gebildet wird und ein erster niederohmiger Bereich und ein zweiter niederohmiger Bereich ausgebildet werden, zwischen denen der Kanalbildungsbereich liegt.