发明名称 微机电系统装置及其制造方法
摘要 本发明涉及一种MEMS装置。该MEMS装置具备:半导体基板,其被形成有沟槽;功能元件,其被设置于半导体基板的沟槽内,且具有连接电极;结构体,其被设置于半导体基板的沟槽内,且在功能元件的周围形成空腔;盖部,其包括与连接电极电连接的导电体,且对空腔进行覆盖;绝缘层,其对盖部以及设置有半导体电路元件的半导体基板的主面进行覆盖;第一电极,其贯穿绝缘层并与导电体电连接;第二电极,其贯穿绝缘层并与半导体电路元件电连接;配线,其被设置于绝缘层的表面上,并对第一电极与第二电极进行电连接。
申请公布号 CN104925737A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201510119951.5 申请日期 2015.03.18
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 吉泽隆彦
分类号 B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/02(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 黄威;苏萌萌
主权项 一种微机电系统装置,具备:半导体基板,其在主面的第一区域中形成有沟槽,并且在主面的第二区域中形成有半导体电路元件的杂质扩散区域;功能元件,其被设置于所述半导体基板的沟槽内,且具有连接电极;结构体,其被设置于所述半导体基板的沟槽内,且在所述功能元件的周围形成空腔;盖部,其包括与所述连接电极电连接的导电体,且对所述空腔进行覆盖,并且该盖部中的所述导电体与该盖部的其他部分绝缘;绝缘层,其对所述盖部以及设置有所述半导体电路元件的所述半导体基板的主面进行覆盖;第一电极,其贯穿所述绝缘层并与所述导电体电连接;第二电极,其贯穿所述绝缘层并与所述半导体电路元件电连接;配线,其被设置于所述绝缘层的表面上,并对所述第一电极与所述第二电极进行电连接。
地址 日本东京