| 发明名称 | 一种减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，包括：第一步骤：在硅片上布置浮栅多晶硅层；第二步骤：在浮栅多晶硅层上布置一层光罩；第三步骤：利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域中的浮栅多晶硅层部分。 | ||
| 申请公布号 | CN104934328A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510309096.4 | 申请日期 | 2015.06.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 沈思杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅片上布置浮栅多晶硅层；第二步骤：在浮栅多晶硅层上布置一层光罩；第三步骤：利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域中的浮栅多晶硅层部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||