一种键合结构的制造方法

摘要

本发明提供一种键合结构的制造方法，包括在待处理晶圆上形成第一氧化物层；在第一氧化物层上沉积碳层，光刻和蚀刻碳层；再沉积第二氧化物层，光刻和蚀刻第二氧化物层；在蚀刻的凹槽形成键合金属层，对键合金属进行研磨；高温炭化，使第一、第二氧化物层中包裹空腔结构，形成形变层。本发明的键合结构的制造方法增加了一层形变层，使氧化物在键合过程中受到压力影响发生延展，形变层的空腔结构给延展提供空间，利用氧化物的延展性弥补研磨所带来的键合金属层高度不一致的问题，大大提高了键合的质量和产量。

主权项

一种键合结构的制造方法，其特征在于，所述键合结构的制造方法包括以下步骤：步骤一、在待处理晶圆上形成第一氧化物层；步骤二、在第一氧化物层上进行碳沉积，形成碳层；步骤三、于所述碳层中蚀刻出贯穿所述碳层的多个沟槽；步骤四、于所述碳层表面及各该沟槽内形成至少将各该沟槽填满的第二氧化物层；步骤五、刻蚀所述第二氧化物层、碳层及第一氧化物层，以于待键合处形成直至所述待处理晶圆表面的多个凹槽；步骤六、于各该凹槽形成键合金属层；步骤七、去除所述碳层，以于所述第一氧化物层及第二氧化物层间形成多个空腔结构，构成形变层。